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STMicroelectronics et Soitec coopèrent pour fabriquer des substrats en carbure de silicium
Isère # Électronique

STMicroelectronics et Soitec coopèrent pour fabriquer des substrats en carbure de silicium

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Soitec-Bernin-isère-semiconducteurs — Photo : JP NOISILLIER/nuts.fr

Les fabricants français de semi-conducteurs STMicroelectronics (48 000 salariés ; 12,8 Md$ de CA en 2021) et Soitec (1 191 salariés ; 550 M€ de CA en 2021) ont annoncé la prochaine étape de leur coopération relative aux substrats en carbure de silicium (SiC). L’objectif de cette coopération, qui porte sur les 18 prochains mois, est l’adoption par ST de la technologie SmartSiC™ de Soitec pour sa fabrication future de substrats en 200 mm destinés à la production de produits et de modules, avec une production en volume prévue à moyen terme. "La transition vers des plaquettes SiC en 200 mm apportera des avantages substantiels à nos clients des secteurs de l’automobile et de l’industriel qui accélèrent la transition vers l’électrification de leurs systèmes et de leurs produits", a déclaré Marco Monti, Président du Groupe Produits Automobiles et Discrets de STMicroelectronics. "L’objectif de cette coopération technologique avec Soitec est de continuer à améliorer les rendements de production et la qualité. "

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